Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Корпус транзистора металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Характеристики:
- Структура транзистора: n-p-n
- Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50Вт
- Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 мГц
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 (250 имп.) В
- Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А
- Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (120В)
- Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50
- Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ
|
|