Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Характеристики:
- Структура транзистора: n-p-n
- Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт
- Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (1кОм)
- Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А
- Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А
- Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В)
- Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 18000
- Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ
- Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом
|
|